Oxide Anneal (300SE)

-  适用于Pad Oxide (垫氧化层)和TOSZ (or FCVD) Anneal（TOSZ or FCVD 退火）,

   USG Densification（USG 致密化）, Cu Anneal（Cu 退火）, Pi Bake（Pi 烘烤）

-  Specification（特点）

   - 125 product wafers（125 PCS 晶圆）

   - 16 FOUP buffer stage

Oxide Anneal (300SP)

 适用于HV Gate Oxide（HV 闸氧化层）, Pad Oxide（垫氧化层）和TOSZ  

   Anneal, Mold Anneal（TOSZ 退火，模具退火），Cu Anneal, H2 Alloy, 

   Pi Bake（Cu 退火，H2 合金，Pi 烘烤）

 Specification（特点）

  - 150 product wafers（150 PCS 晶圆）

  - 22 FOUP buffer stage